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电子元器件详细资料 » IC[25848] » NSBC114EPDP6T5G
型号:NSBC114EPDP6T5G类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:SOT-963描述:TRANS BRT DUAL COMPL SOT-963

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS BRT DUAL COMPL SOT-963
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧22210k
电阻器_发射极(R2)111欧22210k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)35 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大339mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-963
供应商设备封装SOT-963
包装带卷 (TR)

供应商

深圳信泰电子器材有限公司廖先生0755-83242658
深圳市杰兴微电子有限公司林0755-23995152
深圳市春涛电子有限公司王云0755-82563615 82563213
深圳市源丰诚电子科技有限公司朱先生0755-23919407
深圳市捷富芯科技有限公司林生13686489274
深圳市科思奇电子科技有限公司林小姐/朱先生0755-83245050/82785939
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
深圳市科翼源电子有限公司朱小姐13510998172

NSBC114EPDP6T5G相关型号

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